「IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 - ITmedia NEWS」

IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで「ムーアの法則」を今後も維持できるとしている。

www.itmedia.co.jp

Webページ

コンテンツ文字数：0 文字

見出し数（H2/H3タグ）：0 個

閲覧数：98 件

2021-12-16 11:00:09

オリジナルページを開く

B!